<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-id pub-id-type="doi">10.24151/1561-5405-2026-31-4-448-460</article-id><article-id pub-id-type="risc">WQOTIR</article-id><article-id pub-id-type="udk">531.787.9</article-id><article-categories><subj-group><subject>Микро- и наносистемная техника</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Analysis of temperature stresses in a composite sensitive element of a resonant-frequency pressure sensor</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Анализ температурных напряжений в композитном чувствительном элементе резонансно-частотного датчика давления</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Вторушин Сергей Евгеньевич</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Вторушин</surname><given-names>Сергей Евгеньевич</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Vtorushin</surname><given-names>Sergey E.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Sergey E. Vtorushin</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Таловская Алена Алексеевна</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Таловская</surname><given-names>Алена Алексеевна</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Talovskaya</surname><given-names>Alena A.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Alena A. Talovskaya</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Барбин Евгений Сергеевич</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Барбин</surname><given-names>Евгений Сергеевич</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Barbin</surname><given-names>Evgenii S.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Evgenii S. Barbin</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-2"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Кулинич Иван Владимирович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Кулинич</surname><given-names>Иван Владимирович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Kulinich</surname><given-names>Ivan V.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Ivan V. Kulinich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Коледа Алексей Николаевич</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Коледа</surname><given-names>Алексей Николаевич</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Koleda</surname><given-names>Alexey N.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Alexey N. Koleda</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-3"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Нестеренко Тамара Георгиевна</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Нестеренко</surname><given-names>Тамара Георгиевна</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Nesterenko</surname><given-names>Tamara G.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Tamara G. Nesterenko</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Россия, 634050, г. Томск, пр. Ленина, 40)</aff><aff id="AFF-2" xml:lang="ru">Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Россия, 634050, г. Томск, пр. Ленина, 40); Институт оптики атмосферы им. В. Е. Зуева, Россия, 634055, г. Томск, пл. Академика Зуева, 1</aff><aff id="AFF-3" xml:lang="ru">Томский политехнический университет, Россия, 634050, г. Томск, пр. Ленина, 30</aff></contrib-group><pub-date iso-8601-date="2026-08-18" date-type="pub" publication-format="electronic"><day>18</day><month>08</month><year>2026</year></pub-date><volume>Том. 31 №4</volume><fpage>448</fpage><lpage>460</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/Том 31 №4/analiz_temperaturnykh_napryazheniy_v_kompozitnom_chuvstvitelnom_elemente_rezonansno_chastotnogo_datch/</self-uri><self-uri content-type="pdf">http://ivuz-e.ru#</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>Evaluating temperature errors and developing methods for reducing them has been among the most important problems in the microsensors design. The temperature effect on the performance of a resonant-frequency microelectromechanical pressure sensor was studied in this work. This study aim was to numerically evaluate the mechanical stresses occurring in a resonant-frequency pressure sensor and to investigate their impact on the sensor frequency characteristics. The stress-strain state numerical modeling of a membrane under static pressure and subject to a temperature field (from –50 to +85 °C) was performed by the finite element method. The authors also studied the natural frequencies of resonators with various configurations, located above the membrane and consisted of a layered composite structure based on titanium and aluminum oxide. Through the obtained results, the design solutions were proposed. They were to compensate for thermal deformations of the resonators. The temperature field influence on their frequency characteristics was reduced and, therefore, the overall error of the developed sensor was also decreased. The proposed design solutions allow reducing thermal stress in composite resonators to 9 % of the original value at ceramic membrane use. Modifying the resonator cross-section let reduce thermal stress by 58 %. The sensitive element total error, expressed as the temperature frequency coefficient, has been reduced from 2620–2770 to 500 ppm/°C.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>При проектировании микродатчиков одна из важнейших задач – оценка температурных погрешностей и разработка способов их уменьшения. В работе исследовано температурное влияние на характеристики резонансно-частотного микроэлектромеханического датчика давления. Проведена численная оценка механических напряжений, возникающих в резонансно-частотном преобразователе давления. Исследовано их влияние на частотные характеристики датчика. Методом конечных элементов проведено численное моделирование напряженно-дефор-мированного состояния мембраны под действием статического давления и температурного поля в диапазоне –50…&amp;#43;85 °С. Проанализированы собственные частоты расположенных над мембраной резонаторов с разной конфигурацией, представляющих собой слоистую композитную структуру на основе титана и оксида алюминия. Предложены конструктивные решения, позволяющие компенсировать тепловые деформации резонаторов. Показано, что влияние температурного поля на частотные характеристики резонаторов снижено и, как следствие, уменьшена суммарная погрешность разрабатываемого датчика. Предложенные конструктивные решения позволили снизить температурные напряжения в композитных резонаторах до 9 &amp;#37; от первоначального значения при использовании керамической мембраны. Модификация сечения резонаторов позволила снизить температурные напряжения дополнительно на 58 &amp;#37;. В соответствии с этим суммарная погрешность чувствительного элемента, выраженная в виде температурного коэффициента частоты, уменьшилась с 2620–2770 ppm/°C до значений, не превышающих 500 ppm/°C.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>резонатор</kwd><kwd>мембрана</kwd><kwd>композит</kwd><kwd>собственная частота</kwd><kwd>механические и температурные напряжения</kwd><kwd>тепловые деформации</kwd><kwd>резонансно-частотный метод</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>resonator</kwd><kwd>membrane</kwd><kwd>composite</kwd><kwd>natural frequency</kwd><kwd>mechanical and thermal stresses</kwd><kwd>thermal deformations</kwd><kwd>resonant frequency method</kwd></kwd-group><funding-group><funding-statement xml:lang="ru">работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки России (Соглашение FEWM-2024-0008) и ТУСУР в рамках программы «Приоритет 2030». </funding-statement><funding-statement xml:lang="ru">the work has been supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (Agreement FEWM-2024-0008) and TUSUR as part of the Priority 2030 program.</funding-statement></funding-group></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Di Meglio F., Petit N., Alstad V., Kaasa G.-O. Stabilization of slugging in oil production facilities with or without upstream pressure sensors. J. Process Control. 2012;22(4):809–822. https://doi.org/10.1016/j.jprocont.2012.02.014</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Beeby S. P., Ensell G., Kraft M., White N. MEMS Mechanical Sensors. London: Artech House; 2004. 269 p.</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Jena S., Gupta A. Review on pressure sensors: A perspective from mechanical to micro-electro-mechanical systems. Sens. Rev. 2021;41(3):320–329. https://doi.org/10.1108/SR-03-2021-0106</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>4.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Yan P., Lu Y., Xiang C., Wang J., Chen D., Chen J. A temperature-insensitive resonant pressure micro sensor based on silicon-on-glass vacuum packaging. Sensors. 2019;19(18):3866. https://doi.org/10.3390/s19183866</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>5.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Feng T., Yuan Q., Yu D., Wu B., Wang H. Concepts and key technologies of microelectromechanical systems resonators. Micromachines. 2022;13(12):2195. https://doi.org/10.3390/mi13122195</mixed-citation></ref><ref id="B6"><label>6.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Salvia J. C., Melamud R., Chandorkar S. A., Lord S. F., Kenny T. W. Real-time temperature compensation of MEMS oscillators using an integrated micro-oven and a phase-locked loop. J. Microelectromech. Syst. 2010;19(1):192–201. https://doi.org/10.1109/JMEMS.2009.2035932</mixed-citation></ref><ref id="B7"><label>7.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Jha C. M., Hopcroft M. A., Chandorkar S. A., Salvia J. C., Agarwal M., Candler R. N. et al. Thermal isolation of encapsulated MEMS resonators. J. Microelectromech. Syst. 2008;17(1):175–184. https://doi.org/10.1109/JMEMS.2007.904332</mixed-citation></ref><ref id="B8"><label>8.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Xiang C., Lu Y., Yan P., Chen J., Wang J., Chen D. A resonant pressure microsensor with temperature compensation method based on differential outputs and a temperature sensor. Micromachines. 2020;11(11):1022. https://doi.org/10.3390/mi11111022</mixed-citation></ref><ref id="B9"><label>9.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Cai P., Xiong X., Wang K., Wang J., Zou X. An improved difference temperature compensation method for MEMS resonant accelerometers. Micromachines. 2021;12(9):1022. https://doi.org/10.3390/mi12091022</mixed-citation></ref><ref id="B10"><label>10.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Tu C., Yang M.-H., Zhang Z.-Q., Lv X.-M., Li L., Zhang X.-S. Highly sensitive temperature sensor based on coupled-beam AlN-on-Si MEMS resonators operating in out-of-plane flexural vibration modes. Research. 2022;2022:9865926. https://doi.org/10.34133/2022/9865926</mixed-citation></ref><ref id="B11"><label>11.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Ahmed H., Rajai P., Ahamed M. J. Temperature frequency stability study of extensional mode N-doped silicon MEMS resonator. AIP Adv. 2022;12(1):015319. https://doi.org/10.1063/5.0074694</mixed-citation></ref><ref id="B12"><label>12.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Li X., Xue H., Lu Y., Wang Y., Xie B., Chen D. et al. Integrated isolation structure for reducing thermal stresses of resonant pressure microsensor. IEEE Sens. J. 2024;24(23):38787–38793. https://doi.org/10.1109/JSEN.2024.3476478</mixed-citation></ref><ref id="B13"><label>13.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Perelló-Roig R., Barceló S., Verd J., Bota S., Segura J. Geometrically engineered mass sensing CMOS-MEMS resonators for temperature compensation via folded anchors. Sens. Actuators A. 2024;373:115435. https://doi.org/10.1016/j.sna.2024.115435</mixed-citation></ref><ref id="B14"><label>14.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Таловская А. А., Моховиков Д. М., Барбин Е. С., Кулинич И. В., Гуляева А. А. Исследование механических параметров чувствительного элемента резонансно-частотного датчика давления. Изв. вузов. Физика. 2024;67(2):91–100. https://doi.org/10.17223/00213411/67/2/10. EDN: RYDKXO.</mixed-citation></ref><ref id="B15"><label>16.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Talovskaya А. А., Mokhovikov D. M., Barbin E. S., Kulinich I. V., Guliaeva А. А. Study of mechanical parameters of the sensitive element of the resonant-frequency pressure sensor. Izv. vuzov. Fizika. 2024;67(2):91−100. (In Russ.). https://doi.org/10.17223/00213411/67/2/10</mixed-citation></ref><ref id="B16"><label>15.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Аунг Т., Симонов Б. М., Тимошенков С. П. Исследование балочных резонаторов для частотных акселерометров с учетом термоупругого демпфирования и остаточного напряжения. Изв. вузов. Электроника. 2018;23(1):52–61. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2018-23-1-52-61. EDN: YPSYAC.</mixed-citation></ref><ref id="B17"><label>18.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Aung T., Simonov B. M., Timoshenkov S. P. Research of change in natural frequencies of bar resonators under influence of thermoplastic damping and residual stress. Izv. vuzov. Elektronika = Proc. Univ. Electronics. 2018;23(1):52–61. (In Russ.). https://doi.org/10.24151/1561-5405-2018-23-1-52-61</mixed-citation></ref><ref id="B18"><label>16.</label><mixed-citation xml:lang="ru">de Faoite D., Browne D. J., Chang-Díaz F. R., Stanton K. T. A review of the processing, composition, and temperature-dependent mechanical and thermal properties of dielectric technical ceramics. J. Mater. Sci. 2012;47(10):4211–4235. https://doi.org/10.1007/s10853-011-6140-1</mixed-citation></ref><ref id="B19"><label>17.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Habermehl S. Coefficient of thermal expansion and biaxial Young’s modulus in Si-rich silicon nitride thin films. J. Vac. Sci. Technol. A. 2018;36(2):021517. https://doi.org/10.1116/1.5020432</mixed-citation></ref><ref id="B20"><label>18.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Lu X., Lin X., Chiumenti M., Cervera M., Hu Y., Ji X. et al. Residual stress and distortion of rectangular and S-shaped Ti-6Al-4V parts by Directed Energy Deposition: Modelling and experimental calibration. Addit. Manuf. 2019;26:166–179. https://doi.org/10.1016/j.addma.2019.02.001</mixed-citation></ref></ref-list>    
  </back>
</article>
